خانه / فنی و مهندسی / پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در ۵۲ اسلاید

پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در ۵۲ اسلاید

دانلود رایگان پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در ۵۲ اسلاید ، مقاله ، تحقیق 

این محصول” پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در ۵۲ اسلاید “را از فایل می  دانلود نمایید.

      دیدکلی پیشرفت تکنولوژی قطعات حالت جامد نه تنها به توسعه مفاهیم قطعات الکترونیکی بلکه به بهبود مواد نیز وابسته بوده است. شرایط رشد بلورهای نیم رسانا که برای ساخت قطعات الکترونیک استفاده می‌شود، بسیار دقیق‌تر و مشکل‌تر از سایر مواد است. علاوه بر این که نیم رساناها باید به صورت تک بلورهای بزرگ در دسترس باشند، باید خلوص آنها نیز در محدوده بسیار ظریفی کنترل شود. مثلا تراکم بیشتر ناخالصیهای مورد استفاده در بلورهای سیلیسیوم فعلی از یک قسمت در ده میلیارد کمتر است. چنین درجاتی از خلوص ، مستلزم دقت بسیار در استفاده و بکارگیری مواد در هر مرحله از فرآیند ساخت است. تاریخچه رشد سیلیسیوم تک بلور اولین بار در آغاز و میانه دهه ۱۹۵۰ انجام گرفت که هم اکنون نیز در ساخت مدارهای مجتمع از آن استفاده می‌شود. رشد از مذاب یک روش متداول برای رشد تک بلورها ، سرد کردن انتخابی ماده مذاب است به گونه‌ای که انجماد در راستای یک جهت بلوری خاص انجام می‌پذیرد. یک مثال ظرفی از جنس سیلیکا (کوارتز شیشه‌ای) در نظر بگیرید که دارای ژرمانیوم (Ge) مذاب است و می&zwnj …

این محصول ارزشمند “پاورپوینت کامل و بسیار خوب با عنوان فناوری ساخت ترانزیستورهای CMOS و قوانین طراحی Layout در ۵۲ اسلاید  “توسط پورتال  فایل می  جمع آوری و برای فروش قرار داده شده است.

منبع: file-me.ir

همچنین ببینید

پروژه خازن سنج به همراه ESR متر

دانلود رایگان پروژه خازن سنج به همراه ESR متر این محصول با ارزش " پروژه خازن سنج به همراه ESR متر "را از فایل می دانلود نمایید.

پاسخ دهید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *